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1.2
(continue d )
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μA
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 4 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 μ s
8
10
1
10 ms
1 ms
100 μ s
6
100 ms
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
-1
DC
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
4
2
10
10
10
10
10
-2
0
1 2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
3
0
25
50
75 100
T C , Case Temperature [ ℃ ]
125
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
※ N o te s :
1 . Z θ J C (t) = 2 .6 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
0 .0 1
10
-2
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
10
10
10
10
-5
10
-4
-3 -2 -1
t 1 , S q u a r e W a v e P u l s e D u r a t i o n [ s e c ]
0
10
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF8N60C Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
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